半导体器件的量测方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体器件的量测方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的量测方法，包括：获取作为待测物件的半导体器件的图像，半导体器件包括衬底和位于衬底上的半导体结构；在图像上选取检测区，并对检测区利用能谱仪进行能谱分析，获取检测区的元素谱图；将元素谱图中的第一元素的第一目标峰和第二元素的第二目标峰进行分峰拟合，获取拟合元素分布谱图；根据拟合元素分布谱图获得第一元素的原子比例和/或第二元素的原子比例，以供判断第一元素的气孔大小，通过该方法能准确且快速地获取半导体结构中气孔的情况，以提高测试的准确率和效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114088752 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111287698.6 (22)申请日 2021.11.02 (71)申请人长江存储科技有限责任公司