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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种OPC建模量测图形数据选择方法。方法包括:提供对应半导体器件特定层的掩模版数据文件和OPC初始模型;从掩模版数据文件中,选取实际特征尺寸属于第一特征尺寸范围的掩模图形作为测试图形,所有测试图形形成测试图形集;第一特征尺寸包括半导体特定器件层的最小设计特征尺寸;使用测试图形集优化OPC初始模型,生成第一OPC模型;基于第一OPC模型,对测试图形集中的每个测试图形进行模拟,确定测试图形集中的有效测试图形集;删除掩模版数据文件中,实际特征尺寸小于最小有
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114077157 A
(43)申请公布日 2022.02.22
(21)申请号 202111426254.6
(22)申请日 2021.11.26
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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