一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体器件及其制造方法，包括第一衬底和第二衬底，第一衬底用于制作RF器件，第二衬底的上表面设有氧化层，第二衬底在氧化层的下方设有离子层，第一衬底与氧化层键合，在实际使用时本发明的半导体器件由于氧化层下方的离子形成了大量的悬空键，当第二衬底与第一衬底键合后，由于悬空键的存在，离子层具有了富陷阱层类似的功能，离子层中的悬空键可以减少第二衬底中的电子在高频环境中的运动，进而避免产生杂讯电流，改善射频杂讯问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114078884 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202210057637.9 (74)专利代理机构无锡市汇诚永信专利代理事