一种倒置3μm~5μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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一种倒置3μm~5μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种倒置3μm～5μmnBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料的结构为从上向下依次设置的顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；通过分子术外延法制备得到。通过对结构和材料组分进行改进设计，采用倒置延伸波长的nBn结构，同时调整Sb组分，将采用所述材料制备的红外探测器的响应波长延伸至5μm，同时，能在不增大红外探测器暗电流的情况下减小横向扩散电流，进一步提升了红外探测器的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093976 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111350766.9 (22)申请日 2021.11.15 (71)申请人昆明