高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdf

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本发明公开一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制作方法，其包括一基底、一台型结构设置在该基底上、一钝化层设置在该台型结构上，以及至少一接触结构设置在该钝化层及该台型结构中。该台型结构包括一通道层以及一势垒层设置在该通道层之上。该接触结构包括一主体部以及多个凸出部，该主体部穿过该钝化层，该些凸出部与该主体部的一底面连接并且穿过该势垒层以及部分该通道层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078965 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010799660.6 (22)申请日 2020.08.11 (71)申请人联华电子股份有限公司