半导体元件及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约3.62万字
约 43页
2023-04-26 发布于北京
举报
版权申诉

半导体元件及其制备方法.pdf

1、本文档共43页，其中可免费阅读42页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一栅极结构以及一第一源极/漏极区，该第一栅极结构设置在一半导体基底上，该第一源极/漏极区设置在该半导体基底中，且邻近该第一栅极结构设置。该半导体元件亦具有一第一硅化物层以及一石墨烯导电结构，该第一硅化物层设置在该半导体基底中，且设置在该第一源极/漏极区上，而该石墨烯导电结构设置在该第一硅化物层上。该半导体元件还具有一第一介电层以及一第二介电层，该第一介电层是覆盖该第一栅极结构，该第二介电层设置在该第一介电层上。该石墨烯导电结构是被该第一介

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078820 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110703429.7 (22)申请日 2021.06.24 (30)优先权数据 16/990,67