半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有二栅极结构、一第一导体、一阻障、一第二导体以及多个气隙。该二栅极结构位在一半导体材料基底的一表面上。该第一导体设置在该二栅极结构之间。该阻障设置在该第一导体与该栅极结构之间。该第二导体设置在该第一导体上。所述气隙设置在该第二导体的两侧处。该第二导体的一宽度是较大于该第一导体的一宽度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078756 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110755886.0 (22)申请日 2021.07.05 (30)优先权数据 16/990,64