多晶填充形状和选择性有源器件下方具有多晶隔离区的结构及相关方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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多晶填充形状和选择性有源器件下方具有多晶隔离区的结构及相关方法.pdf

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本发明涉及多晶填充形状和选择性有源器件下方具有多晶隔离区的结构及相关方法。一种结构包括绝缘体上半导体(SOI)衬底，其包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的掩埋绝缘体层和位于掩埋绝缘体层上方的SOI层。该结构还包括第一有源器件和第二有源器件。至少一个多晶有源区填充形状位于SOI层中。多晶隔离区位于掩埋绝缘体层下方的半导体衬底中。多晶隔离区位于第一有源器件下方，但不位于第二有源器件下方。多晶隔离区延伸到半导体衬底中的不同深度。第一和第二有源器件可以包括单晶有源区，第三多晶有源区也可以位于多晶隔离区上

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078743 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110924121.5 (22)申请日 2021.08.12 (30)优先权数据 16/992445