半导体结构的及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体结构的及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上有栅极结构，栅极结构两侧基底内有源漏掺杂层，基底上有第一介质层，覆盖栅极结构顶部，第一介质层顶部有硬掩膜材料层，基底包括多个相邻的器件单元区；刻蚀栅极结构两侧的硬掩膜材料层，保留器件单元区交界处和栅极结构上方的作为硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀第一介质层，形成露出源漏掺杂层顶部的开口；在开口露出的源漏掺杂层顶部形成底部源漏插塞；在底部源漏插塞顶部形成第二介质层，覆盖硬掩膜层侧壁；形成贯穿第二介质层且与底部源漏插塞相接触的顶部源漏插塞，相邻器件

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078760 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010819887.2 (22)申请日 2020.08.14 (71)申请人中芯