半导体结构、制备方法、三维存储器及存储系统.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体结构、制备方法、三维存储器及存储系统.pdf

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本申请实施例提供了一种半导体结构、制备方法、三维存储器及存储系统。本申请的实施方式中，半导体结构包括：叠层结构，包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，叠层结构的一侧具有多个台阶；刻蚀停止结构，包括阻隔层和由阻隔层包围的刻蚀停止层，阻隔层位于台阶的顶面；以及导电接触部，贯穿刻蚀停止结构并延伸至栅极层。本申请提供的半导体结构可减少栅极层短接，存储器失效的情况。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093881 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111310798.6 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人长江存储科技有限责任公司