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本发明涉及一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统,它包括进片室、设于进片室出料端且依次连接的一个以上原子层沉积室、设于原子层沉积室出料端的进片隔离室、设于进片隔离室出料端的进片缓冲室、设于进片缓冲室出料端且依次连接的一个以上工艺镀膜室、设于工艺镀膜室出料端的出片缓冲室、设于出片缓冲室出料端的出片隔离室以及设于出片隔离室出料端的出片室。本发明的目的在于提供一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统,其通过将原子层沉积设备和磁控溅射设备结合在一起,应用于原子层沉积‑磁控溅射镀膜连续进行的工艺中,大幅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114086133 A
(43)申请公布日 2022.02.25
(21)申请号 202011499618.9 C23C 28/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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