一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备.pdf

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本申请提供了一种双晶内存条上下位的修补方法和装置，包括：依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC双晶封装的PCB板的布局。通过上述方法可对不良品的DDP类型封装的内存进行修补，利用出厂的内存IC存在不良产品，通过修补使其变为

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141296 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111450076.0 (22)申请日 2021.11.30 (71)申请人深圳市嘉合劲威电子科技有限公司