一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法及器件.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法及器件.pdf

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本发明提供一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法，包括，提供一衬底，于所述衬底上对应所述P型阱区的位置形成选择栅结构，并于所述选择栅结构上方形成第一控制栅结构；所述选择栅结构及所述第一控制栅结构两侧分别形成对称的“L”型凹陷向外的浮栅结构；分别于所述浮栅结构的凹陷位置形成第二控制栅结构；分别于所述第二控制栅结构及所述浮栅结构底部背，向所述第一控制栅结构的一侧形成侧墙结构。本发明技术方案的有益效果为：内外侧的第一控制栅结构及第二控制栅结构通过对“L”型的浮栅结构最主要的三个面形成交叠面，大大提升了第一控

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156272 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111499000.7 (22)申请日 2021.12.09 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司