变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法.pdf

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本申请是关于一种变掺杂结构屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、屏蔽栅、控制栅、基体区、源区、绝缘层、源极、漏极和金属栅极；漂移区、基体区、源区和源极依次设置在衬底区上方，漏极设置于衬底区下方，控制栅和屏蔽栅由上至下设置在漂移区一侧；衬底区1、漂移区2和源区7的掺杂类型均为第一掺杂类型；基体区6的掺杂类型为第二掺杂类型；衬底区1和源区7的掺杂浓度均大于漂移区的掺杂浓度；基体区6包括由上至下分布的若干层掺杂分布层；若干层掺杂分布层的掺杂浓度由上至下线性降低。本申请提供的方案能够有效地缩短

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156335 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111340000.2 (22)申请日 2021.11.12 (71)申请人无锡