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本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及制备方法，该结构包括：两片以上具有焊垫的半导体芯片，半导体芯片排布为扇出型晶圆阵列，每个半导体芯片具有各自的初始位置；塑封层，覆盖半导体芯片表面及各半导体芯片之间，每个半导体芯片具有塑封后各自的偏移位置，偏移位置相对于初始位置具有偏移距离；重新布线层，形成于半导体芯片上，以实现各半导体芯片之间的互连，重新布线层至少包括一层第一重新布线层，第一重新布线层形成于半导体芯片的表面上，且与半导体芯片的焊垫对齐连接；金属凸块，形成于重新布线层上。该扇出型晶圆级封装结构可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114156188 A
(43)申请公布日 2022.03.08
(21)申请号 202010936915.9 H01L 23/488 (2006.01)
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