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本申请公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，所述送气组件包括：进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。上述半导体工艺炉能够解决因目前工艺炉中工艺气体分布不均匀导致部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114156205 A
(43)申请公布日 2022.03.08
(21)申请号 202111401340.1
(22)申请日 2021.11.19
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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