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本发明提供了一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统，采用合适的刻蚀/钝化阶段气体流量和时间，硅对光刻胶刻蚀选择比高(120：1)，在整个刻蚀过程中可以直接用光刻胶作为刻蚀掩模；采用高射频功率产生足够高的等离子体密度，实现快速刻蚀，刻蚀速率可达5um/min；采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换时间和渐变的工艺参数来保证深槽的陡直度(90°±0.1°)，线条光滑。本发明直接用光刻胶作为刻蚀掩模，避免了在大于100微米深槽刻蚀中常规的金属掩模，既使得工艺过程变得简单，又不会对工艺腔室造成污染；其独特的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114156172 A
(43)申请公布日 2022.03.08
(21)申请号 202111271901.0
(22)申请日 2021.10.29
(71)申请人 北京
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