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本发明公开了一种多层介质光波导结构及其制造方法，该方法采用在硅衬底上通过控制SiOxN中O原子的比例以形成不同应力和折射率的光学薄膜，然后交替形成多层低残余应力的光学薄膜，再通过等离子体刻蚀技术在其上刻蚀出光波导，然后基于化学气相沉积技术沉积低折射率光学薄膜作为上包层，进而得到多层介质光波导结构。本发明具有工艺简单，无需高温退火的优点，且多层介质薄膜折射率可调范围大，介于二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4之间，可灵活设计光波导的折射率，以实现与Ⅲ‑Ⅴ族激光器、光调制器、光探测器等器件的混合/异构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114153030 A
(43)申请公布日 2022.03.08
(21)申请号 202111491935.0
(22)申请日 2021.12.08
(71)申请人 黄山博蓝特半导体科技有限公司
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