三维存储器件中的阶梯形成.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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三维存储器件中的阶梯形成.pdf

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一种用于形成3D存储器的阶梯结构的方法，包括：形成交替层堆叠体，所述交替层堆叠体包括设置在衬底上方的多个电介质层对；在所述交替层堆叠体上方形成第一掩模堆叠体；使用光刻工艺图案化第一掩模堆叠体以限定阶梯区域，所述阶梯区域包括在所述交替层堆叠体上方的N个子阶梯区域，其中N大于1；在所述阶梯区域上方形成第一阶梯结构，所述第一阶梯结构在每个阶梯区域处具有M个台阶，其中M大于1；并且在所述第一阶梯结构上形成第二阶梯结构，所述第二阶梯结构在阶梯区域处具有2*N*M个台阶。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141781 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111451410.4 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日