一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法.pdf

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本发明涉及一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法，将装有CdS籽晶的籽晶架、5～20gCdS粉和石英封帽从石英管的B端依次装入石英管内，进行抽真空、充高纯氩气、封结处理，然后将石英管装入双温区退火炉中进行加热，随着石英管内温度升高到设定温度，CdS粉挥发出的CdS气氛充满整个石英管腔内，再加上氩气的保护，CdS籽晶表面挥发量极少，同时CdS籽晶处于低温区，CdS气氛会在CdS籽晶表面的微裂纹处进行凝结生长，逐步将裂纹填充，实现CdS籽晶表面的微裂纹修复，有效降低了CdS籽晶片的位错密度

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114134576 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111457399.2 (22)申请日 2021.12.02 (71)申请人中国电子科技集团公司第四十六研