一种磁控共溅射制备Fe-Sn-Se-Te四元薄膜的方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种磁控共溅射制备Fe-Sn-Se-Te四元薄膜的方法.pdf

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本发明公开了一种磁控共溅射制备Fe‑Sn‑Se‑Te四元薄膜的方法，具体方法如下：1）将铁粉、锡粉、硒粉和碲粉称量、研磨后放入坩埚中，再将坩埚置于石英管中，进行真空封管，将封好的石英管放置在马弗炉中进行烧结，自然冷却取出；2）将所得混合物研磨成粉末，压成坯体，进行高温烧结，制成FeSnSeTe靶材；3）清洗基底；4）将靶材放在靶位上，基底放入腔室中，关闭腔室并抽真空，往腔室中通入氩气，使用射频功率为60~110W，沉积时间为45~120分钟。溅射结束，关闭电源；5）取出沉积好的薄膜，放入烧结炉

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114150375 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111505848.6 (22)申请日 2021.12.10 (71)申请人福建师范大学地址