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本发明公开一种低副瓣宽带低交叉极化平面偶极子天线阵列,包括多层介质基板;第一金属面;第二金属面;馈电网络;偶极子天线阵列;每个偶极子天线单元包括顶层偶极子臂、中间层偶极子臂、底层偶极子臂;第一金属面与顶层偶极子臂的一端连接;第二金属面与底层偶极子臂的一端相连;所述的馈电网络包括信号导带,金属化通孔;馈电网络输出端处信号导带直接与各偶极子天线单元的信号输入端连接;该天线阵列在恰当位置刻蚀一对缝隙,使得偶极子同时工作在半波长模式和1.5倍波长模式,大幅提高偶极子天线的阻抗带宽。该天线阵列采用SICL
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114156652 A
(43)申请公布日 2022.03.08
(21)申请号 202111434446.1
(22)申请日 2021.11.29
(71)申请人 杭州电子科技大学
地址
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