图像传感器的形成方法.pdfVIP

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一种图像传感器的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底内具有第一离子;在所述衬底内形成若干深沟槽;在所述深沟槽内形成掺杂外延层,所述掺杂外延层填充满深沟槽,所述掺杂外延层内具有第二离子,所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同,所述掺杂外延层包括第一区以及位于所述第一区上的第二区,所述第二区的侧壁与所述第一区的侧壁之间具有夹角;采用第一平坦化处理,去除所述第二区。通过在所述深沟槽内形成所述掺杂外延层,掺杂外延层填充满深沟槽;再采用第一平坦化处理,去除第二区。利用在形成掺杂外延层之后,采用第一平坦化处

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156298 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111547475.9 (22)申请日 2021.12.16 (71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司

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