硅衬底结构和氮化铝压电谐振器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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硅衬底结构和氮化铝压电谐振器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种氮化铝压电谐振器件及其硅衬底结构的制备方法及氮化铝压电谐振器件及其硅衬底结构，硅衬底结构的制备方法的步骤包括：在硅衬底的上表面刻蚀形成用于包围至少部分待释放区域的回流槽；采用高硼硅玻璃在回流槽中形成顶部与硅衬底表面平齐的释放保护层，释放保护层限定出待释放区域。氮化铝压电谐振器件的制备方法的步骤包括制备硅衬底结构；在硅衬底结构上完成压电谐振器件的结构制备；在压电层上刻蚀释放孔并对待释放区域进行释放形成释放腔。本申请的方法能够使得在温度发生变化的时候，整体器件产生的热应力较低，避免导

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114142821 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111472214.5 (22)申请日 2021.12.02 (71)申请人南通