BSI图像传感器及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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BSI图像传感器及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种BSI图像传感器及其制作方法。所述制作方法先通过PVD工艺沉积一氮化钛层，以提供粗糙度极低的钨生长面，再采用CVD工艺沉积钨薄膜，并刻蚀所述钨薄膜和氮化钛层以形成钨光栅，由于钨生长面的平整性好，所述钨薄膜中钨晶粒较小，钨薄膜的均匀性和平整性较好，并且可以减少刻蚀过程中发生晶间腐蚀而导致钨缺失的风险，从而可以提高钨光栅的平整性，优化钨光栅形貌，有助于提升BSI图像传感器的光学性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156296 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111512451.X (22)申请日 2021.12.08 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司