一种高性能多孔Cu-Si合金薄膜负极材料及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

3
0
约7.2千字
约 6页
2023-04-27 发布于北京
举报
版权申诉

一种高性能多孔Cu-Si合金薄膜负极材料及其制备方法.pdf

1、本文档共6页，其中可免费阅读5页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

发明公开了一种多孔Cu‑Si合金薄膜负极材料及其制备方法，所述负极是由活性物质Si和导电框架金属Cu共同组成的多孔合金薄膜，薄膜孔隙率在5％～50％，薄膜厚度为0.001‑0.01mm。本发明的多孔Cu‑Si合金薄膜负极采用真空磁控溅射镀膜技术制备得到。通过在铜箔集流体表面沉积Si‑Cu‑Zn合金膜，再去除Zn得到具备发达孔隙结构的薄膜负极，最后对材料进行热处理。本发明中的Cu‑Si合金薄膜负极拥有金属铜作为导电骨架，具有良好的导电性，同时金属铜骨架和发达的孔隙会有效减少硅在循环过程中体积变化带

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156438 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111484838.9 (22)申请日 2021.12.07 (71)申请人南京宇博瑞材料科技有限公司