用于增强图案化的停止蚀刻层沉积.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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用于增强图案化的停止蚀刻层沉积.pdf

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提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156165 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111177993.6 (51)Int.Cl.