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2023-04-27 发布于四川
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MOS器件加工设备.pdf

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本实用新型公开一种MOS器件加工设备，其在面板的顶部且位于冲压装置下方设置有一左支撑台、右支撑台，且在此左支撑台、右支撑台之间设置有一容置槽，此容置槽的内部设置有一缓冲机构，第一支撑板的顶部安装有弹性柱，位于此第一支撑板的上方设置有一具有通孔的第二支撑板，通孔供移动柱套装连接，移动柱固定安装在缓冲板的下表面，缓冲板的上表面安装有若干弓形弹片，在第一支撑板与第二支撑板之间设置有第三支撑板，且在两个第三支撑板之间设置有一弹性圈。本实用新型MOS器件加工设备可以实现在冲切过程中，对半导体芯片进行缓冲，

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218905659 U (45)授权公告日 2023.04.25 (21)申请号 202223473861.0 (22)申请日 2022.12.26 (73)专利权人苏州达晶半导体有限公司地址