半导体器件的后端处理方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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半导体器件的后端处理方法.pdf

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本申请公开了一种半导体器件的后端处理方法，包括：提供一衬底，该衬底用于形成该半导体器件，衬底上包括多个管芯区域，衬底上依次形成有钝化层和聚酰亚胺层；通过光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出目标区域，在任一管芯区域内，目标区域包括第一图形区域和第二图形区域，第一图形区域小于第二图形区域，从俯视角度观察，第一图形区域位于第二图形区域上方；去除目标区域的钝化层和聚酰亚胺层；去除光阻；在衬底的正面进行贴膜处理，对衬底的背面进行减薄处理；对衬底的正面进行撕膜处理。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156166 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111437081.8 (22)申请日 2021.11.30 (71)申请人华虹