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本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件在半导层远离衬底的一侧设置第一导热层，第一导热层设置在电极分布区，并至少部分设置在源极和漏极之间，且第一导热层的分布特征与工作状态下电极分布区的温度分布等高线图相适配，以使第一导热层由电极分布区的热量聚集中心向四周扩散。通过额外设置由热量聚集中心向四周扩散的第一导热层，使得电极分布区的热分布更加均匀，电极分布区内产生的热量能够适应性地由第一导热层进行热传导，并由温度最高的中心区域向四周传导，增强了电极分布区的散热能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114141736 B
(45)授权公告日 2022.05.06
(21)申请号 202210117112.X H01L 23/488 (2006.01)
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