一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法.pdf

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本发明公开了一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法，其它包括：步骤1、选取C面蓝宝石作为衬底材料；步骤2、采用射频磁控溅射制备在衬底材料上制备出β‑Ga2O3薄膜材料；步骤3、将磁控溅射后的样品放入水平管式高温扩散炉中进行后退火处理；步骤4、退火后采用XRD和AFM测试仪器检测样品的薄膜结构和晶体表面粗糙程度；步骤5、掺杂：采用双靶交替即射频溅射Ga2O3和直流溅射金属薄膜交替在同一衬底上进行磁控溅射制备“Ga2O3/金属/……/金属/Ga2O3”的复合结构；步骤6、掺杂完成后采用扩散炉对所得

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156185 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111453562.8 C23C 14/58 (2006.01) (22)