一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构.pdfVIP

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2023-04-28 发布于四川
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一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构.pdf

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本发明公开了一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC‑IGBT结构，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，对二极管与IGBT部分的P+发射极区域进行分立设计。在IGBT部分，保留常规的P+发射区结构，以确保RC‑IGBT工作在IGBT模式时性能不会受损；而在二极管部分，将P+发射区的长度缩短，置于假栅两侧并确保与发射极金属电极接触，被缩短的P+发射区会降低集成二极管阳极载流子的注入效率，减少N漂移区在二极管导通中所存储的载流子数量，最终达到在不损坏IGBT性能的前提下，降低集成二极管反向恢复电流峰

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203802 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202111504527.4 (22)申请日 2021.12.10 (71)申请人电子科技大学地址