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本发明公开了一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法,属于半导体异质结材料制备领域。本发明的半导体异质结例如MoS2/FeS,MoS2/CoS,MoS2/MnS,MoS2/ZnS,Mo(SxSe1‑x)2/ZnSxSe1‑x,Mo(SxSe1‑x)2/CdSxSe1‑x(x代表原子百分比)等。以下用TMDCs代表层状过渡金属硫属化合物MoS2和Mo(SxSe1‑x)2,用XN代表FeS、CoS、MnS、ZnS、ZnSxSe1‑x、CdSxSe1‑x。本发明提供的制备方法为化学气相沉积法,采用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114203805 A
(43)申请公布日 2022.03.18
(21)申请号 202111336491.3 H01S 5/327 (200
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