一种减少曝光累积误差的方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约9.01千字
约 8页
2023-04-28 发布于四川
举报
版权申诉

一种减少曝光累积误差的方法.pdf

1、本文档共8页，其中可免费阅读7页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种减少曝光累积误差的方法，包括如下步骤：(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度；(2)在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录标记的实际位置坐标(X1，Y1)与理论值坐标(X0，Y0)进行比对，并计算相应的差值(X1‑X0，Y1‑Y0)；(3)针对上述差值，在第二次曝光时进行相应的补偿，从而减少每次的累积误差。本发明通过在晶圆片的平边制备一个刻度用于多次曝光位置的调整，减少曝光制程多次累积误差；明显减少曝光制程累积误差，提升产品品质。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114185252 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202111484872.6 (22)申请日 2021.12.07 (71)申请人中山大学南昌研究院地