IGBT器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-28 发布于北京
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IGBT器件及其制造方法.pdf

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本发明提供一种IGBT器件，包括：衬底、位于所述衬底上的外延层、多个阻挡结构、多个栅极、多个基极区和发射极区。所述外延层中形成有多个沟槽；各阻挡结构均位于各沟槽的底部；各栅极均填充各沟槽；各基极区均位于外延层中并且均位于两两相邻的栅极之间；发射极区位于基极区中。本发明还提供一种IGBT器件的制造方法。本申请通过在所述栅极的底部设置所述阻挡结构，可以增加所述栅极的底部的对应外延层区域的电势，从而可以阻挡器件背面的集电极区注入的空穴。进一步的，位于所述栅极底部的所述阻挡结构增加了所述外延层中的空穴的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114188398 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202111398478.0 (22)申请日 2021.11.24 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司