Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体.pdf

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本申请实施例提供一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体，巨量转移方法包括：制备具有网孔的金属膜层；涂布第一胶材至金属膜层，并使至少部分第一胶材填充于金属膜层的网孔；在金属膜层的一侧涂布第二胶材，第二胶材与网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体；将晶圆上的Micro‑LED芯片转移至转移载体，并使Micro‑LED芯片对应网孔内的第一胶材设置；将转移载体上的Micro‑LED芯片转移至目标基板。本申请实施例可以增加转移载体的刚度，使得转移载体不容易因为自身应力而弯曲，进而可以避免现有

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220828 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111523172.3 (22)申请日 2021.12.13 (71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有