非易失性存储器结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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非易失性存储器结构及其制造方法.pdf

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本发明提供一种非易失性存储器结构及其制造方法，该非易失性存储器包括：衬底以及衬底上的一穿隧介电层。位于衬底的阵列区域中且彼此相距设置的多个栅极结构，各栅极结构包含浮置栅极以及位于浮置栅极上方的控制栅极。位于穿隧介电层的上方并覆盖栅极结构的第一介电层，此第一介电层形成于衬底上方并覆盖穿隧介电层的顶面以及覆盖各栅极结构的侧面和顶面上，其中在相邻栅极结构的侧面上的第一介电层之间的空间填满空气隙。多个绝缘块体以及第二介电层，其中绝缘块体位于第一介电层上且分别对应各栅极结构，第二介电层位于绝缘块体上并覆盖

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256252 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011000067.7 (22)申请日 2020.09.22 (71)申请人华邦电子股份有限公司