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2023-05-04 发布于北京
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本发明实施例提出一种半导体装置如金属氧化物半导体场效晶体管。半导体装置包括基板与井位于基板上，且井包括一第一导电型态的掺质。井包括抗击穿层于井的上侧部分，抗击穿层包括第一导电型态的掺质且还包括碳。金属氧化物半导体场效晶体管还包括源极结构与漏极结构以与抗击穿层相邻且为第二导电型态，且第二导电型态与第一导电型态相反。金属氧化物半导体场效晶体管还包括多个通道层于抗击穿层上，并连接源极结构至漏极结构，其中通道层彼此垂直堆叠。金属氧化物半导体场效晶体管包括栅极以包覆每一通道层(如全绕式栅极装置中的每一通道

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220811 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202110855772.3 (22)申请日 2021.07.28 (30)优先权数据 17/097,94