一种理想二极管.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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本发明公开了一种理想二极管，包括控制IC芯片和PMOS管，控制IC芯片内部包括电源偏置使能模块、芯片内部低压电源VCC模块、第一比较器CMP1、第二比较器CMP2、电平转换模块、运算放大器AMP，运算放大器AMP包括由三极管Q1和三极管Q2组成的第一组电流镜，由三极管Q3和三极管Q4组成的第二组电流镜，由PMOS管P4、PMOS管P6和电阻R2组成的第一输出支路以及由PMOS管P5、PMOS管P7和电阻R3组成的第二输出支路，运算放大器AMP的输出端连接PMOS管的栅端，本发明提供的一种理想二极

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114221524 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111477335.9 (22)申请日 2021.12.06 (71)申请人苏州