二价金属离子掺杂的β-三氧化二镓晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.15万字
约 6页
2023-05-04 发布于北京
举报
版权申诉

二价金属离子掺杂的β-三氧化二镓晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法.pdf

1、本文档共6页，其中可免费阅读5页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体的助熔剂体系及基于该助熔剂体系的晶体生长方法。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价离子掺杂β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂，体系中铋氧化物和碱金属氟化物的摩尔比为(0.8～0.75)：(0～0.1)。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为助溶体系，该体系能够在900～1280℃下完全熔融原料中的Ga2O3和金属氧化物，在本发明的工艺条件下，最终能够生长出晶体尺寸可控、成分均一的高质量的Ni2+、Cu2+、Zn2

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114214720 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111535091.5 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人上海应用技术