半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括相邻的第一器件区和第二器件区，第一器件区用于形成第一型晶体管，第二器件区用于形成第二型晶体管，在第一器件区中，在栅极结构两侧的鳍部中形成第一型掺杂半导体层；形成覆盖部分的第一型掺杂半导体层的保护层，保护层露出第一型掺杂半导体层中朝向第二器件区的部分侧壁；利用外延生长工艺，在第二器件区的栅极结构两侧的鳍部中形成第二型掺杂半导体层，且在外延生长工艺的过程中，形成连接第二型掺杂半导体层与第一型掺杂半导体层的连接层。连接层填补了第一型掺杂半导体层和

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256350 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011018886.4 H01L 29/06 (2006.01) (22)申请日 2