非易失性存储器的多遍编程的粒度错误报告.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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非易失性存储器的多遍编程的粒度错误报告.pdf

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一种系统包含存储器组件，所述存储器组件用于在响应于多遍编程命令完成第二遍编程后，将标志位写入由所述多遍编程命令编程的一组存储器单元内。以操作方式耦合到所述存储器组件的处理装置用于与逻辑地址相关联地执行所述一组存储器单元的多遍编程。在接收到读取请求后，所述处理装置确定所述读取请求内的第二逻辑地址不匹配与存储在所述一组存储器单元的物理地址处的数据相关联的所述逻辑地址。所述处理装置进一步确定所述多个标志位内的第一值的数目，并且响应于第一值的所述数目不满足阈值标准，向主机计算装置报告不可校正数据错误。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114258531 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 201980099573.5 (74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限