半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面上的第一外延层；设置于所述第一外延层背离所述半导体衬底一侧表面的第二外延层，所述第二外延层具有刻蚀凹槽；设置于所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面以及所述刻蚀凹槽内的第三外延层；设置于所述第三外延层背离所述第二外延层一侧表面内的阱区；其中，所述第一外延层的掺杂浓度等于所述第三外延层的掺杂浓度，所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层或所述第三外延层的掺杂浓度。应用本发明技

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220863 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111564245.3 (22)申请日 2021.12.20 (71)申请人北京世纪金光半导体有限公司