一种栅氧化层生长监测方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种栅氧化层生长监测方法.pdf

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本发明提供一种栅氧化层生长监测方法，适于监测线宽在14纳米以下的半导体元件的栅氧化层生长，包括：提供一适于监测的晶圆，所述晶圆包括衬底及衬底表面；形成一单晶硅层于所述衬底表面；形成第一栅氧化层于所述单晶硅层；对所形成的第一栅氧化层厚度进行监测。本发明能够提高栅氧化层生长监测过程中栅氧化层生长厚度的稳定性，并提高监测晶圆的利用率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220747 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111447958.1 (22)申请日 2021.11.30 (71)申请人上海芯物科技有限公司