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提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法.pdfVIP

提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法.pdf

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    本公开提供了一种提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长第一AlN层与第二AlN层，第二AlN层的生长温度比第一AlN层的生长温度高100～300℃，释放应力提高质量。生长第二AlN层的过程中，用Ar作为载气生长，促进Al原子的平面移动，提高生长均匀度。对生长第二AlN层过程中形成的AlN膜层，高温条件下H2处理降低位错，第二AlN层的质量提高，在第一AlN层与第二AlN层与生长的AlGaN缓冲层的质量也会得到提高，底层结构的质量提高可以提高最终在底

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220729 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111215486.7 C30B 25/18 (2006.01)

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