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公开了一种纳米线/片器件及其制造方法及包括这种纳米线/片器件的电子设备。根据实施例,纳米线/片器件可以包括:衬底;与衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线/片;位于纳米线/片在第一方向上的相对两端且与纳米线/片相接的源/漏层;沿与第一方向相交的第二方向延伸以围绕纳米线/片的栅堆叠;以及设置在栅堆叠的侧壁上的第一侧墙,其中,第一侧墙包括连续延伸的材料层,该连续延伸的材料层具有沿着纳米线/片的表面的第一部分、沿着源/漏层面向栅堆叠的侧壁的第二部分以及沿着栅堆叠面向源/漏层的侧壁的第三部分,第二部分
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114220857 A
(43)申请公布日 2022.03.22
(21)申请号 202111521279.4
(22)申请日 2021.12.13
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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