一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓肖特基二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓肖特基二极管及其制备方法.pdf

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本发明提供一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓肖特基二极管及其制备方法。本发明氮化镓结势垒肖特基二极管包括：重掺杂N型氮化镓衬底区；轻掺杂N型氮化镓漂移区，位于重掺杂N型氮化镓衬底区上方；轻掺杂N型氮化镓漂移区上设置有沟槽；沟槽底面和侧壁包覆有P型氮化镓区；金属电极层，设置于重掺杂N型氮化镓衬底区下表面以及P型氮化镓区和轻掺杂N型氮化镓漂移区的上表面。本发明方法可以实现制备更深PN结的结势垒肖特基二极管，避免使用过高的离子注入能量。所形成的P型GaN包裹沟槽的结构，不仅可以实现更深的PN结，也能提高对

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220869 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111404908.5 (22)申请日 2021.11.24 (71)申请人山东大学地址 25