微电子概论半导体分立器件.ppt

（C）P沟增强: 第一百二十六页，共一百三十页，2022年，8月28日 (2)反向击穿电压V(BR) ①集发间的反向击穿电压V(BR)CEO ②发基间的反向击穿电压V(BR)EBO ③V(BR)CBO V(BR)CBO 是指发射极开路时集电极与基极间的反向击穿电压,其数值较高. 使用中若超过此值 ,晶体管的集电结就可能会产生雪崩击穿。 V(BR)CEO 继续 本页完 + － 晶体管工作在放大状态时发基极处于正向偏置(电压较小), ③集基间的反向击穿电压V(BR)CBO + － + － 集发处于反偏(电压较大), 所以集基间是处于反偏状态的。 四、半导体三极管的主要参数 (1)集电极最大允许电流ICM 4.极限参数 极限参数ICM、VBR 、 PCM 第九十四页，共一百三十页，2022年，8月28日 (2)反向击穿电压V(BR) (3)集电极最大允许功率损耗PCM PCM 是指集电结上允许损耗功率的最大值. 集电结上有电流和电压,会产生一定的热功率,热功率达到一定的数值后产生的热量会损坏集电结, PCM就是规定了晶体管在使用中的热功率不能超过此值。 V(BR)CEO 继续 (3)集电极最大允许功率损耗PCM 确定了PCM后,晶体管在使用过程中流过集电结的电流iC和电压vCE的乘积不能超过此值。 即 PCM≥ iC vCE 晶体管在使用过程中集电结的功率PC PCM = iC vCE ,则晶体管是安全的,若超过此值晶体管就可能会损坏。 根据 PCM = iC vCE ,在输出特性曲线上作一曲线(属反比例曲线）,曲线外是不安全区,曲线内是安全区。 不安全区 四、半导体三极管的主要参数 (1)集电极最大允许电流ICM 4.极限参数 极限参数ICM、VBR 、 PCM 第九十五页，共一百三十页，2022年，8月28日 (2)反向击穿电压V(BR) (3)集电极最大允许功率损耗PCM 确定了PCM后,晶体管在使用过程中流过集电结的电流iC和电压vCE的乘积不能超过此值。 即 PCM≥ iC vCE 晶体管在使用过程中集电结的功率PC PCM = iC vCE ,则晶体管是安全的,若超过此值晶体管就可能会损坏。 根据 PCM = iC vCE ,在输出特性曲线上作一曲线(属反比例曲线）,曲线外是不安全区,曲线内是安全区。 晶体管工作安全区(结束页) 很显然,由ICM 、V(BR)CEO 和PCM三条曲线所包围的区域才是晶体管工作的安全区. 在此区域内晶体管的三个参数都不超出其极限参数。 V(BR)CEO 继续 本页完 不安全区 安全区 四、半导体三极管的主要参数 (1)集电极最大允许电流ICM 4.极限参数 极限参数ICM、VBR 、 PCM 本节学习完毕，单击返回,返回学习主页，单击结束,结束学习。 返回半导体三极管特性主页 结束结束 第九十六页，共一百三十页，2022年，8月28日 半导体三极管(BJT)的?参数 共射极电流放大系数 IB Rb VEE VCC RL + － + － IE IC 直流电流放大系数hFE( ? ) 三极管通过直流电时： hFE=? = IC IB 三极管通过变化信号时： IE、IC、IB均是直流电 晶体管(BJT)的hFE 、hfe(或写为?、?) 交流电流放大系数hfe( ? ) 学习过程中只需单击此按钮，即可返回入口处。 第九十七页，共一百三十页，2022年，8月28日 半导体三极管(BJT)的?参数 ? IB Rb VEE VCC RL + － + － ?IE ?IC hfe= ? = ?IC ?IB ?iE、 ?iC、 ?iB均是变化的电流 返回 晶体管(BJT)的hFE 、hfe(或写为?、?) 共射极电流放大系数 直流电流放大系数hFE( ? ) 三极管通过直流电时： hFE=? = IC IB 三极管通过变化信号时： 交流电流放大系数hfe( ? ) 第九十八页，共一百三十页，2022年，8月28日 半导体三极管(BJT)的?参数 共基极电流放大系数 直流 ? 和交流 ? 三极管通过直流电时： hFB= ? = IC IE 三极管通过变化信号时： IB Rb VEE VCC RL + － + － IE IC IE、IC、IB均是直流电 晶体管(BJT)的hFB 、hfb(或写为?、?) 第九十九页，共一百三十页，2022年，8月28日 半导体三极管(BJT)的?参数 hfb= ? = ?iC ?iE ? IB Rb VEE VCC RL + － + － ?IE ?IC ?iE、 ?iC、 ?iB均是变化的电流