屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法.pdf

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本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由第一N型源区、第二N型源区和P型源区组成；所述P型源区设置于所述源区远离所述沟槽区的一角，在所述P型源区相邻的两个侧面，分别设置并连接所述第一N型源区和所述第二N型源区；所述第一N型源区和所述第二N型源区的侧面所包围的区域设置所述沟槽区。基体区内的沟道沿着所述沟槽区与所述源区的连接的侧面形成，增加了沟道面积，从而降低了器件的沟道电阻。沟道面积的提高可降低所述N型源区下方的空穴电流密度，降

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335181 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111679643.X H01L 21/8234 (2006.01)