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本申请公开了一种DTSCR器件和电子设备。DTSCR器件包括依次层叠设置的基板、埋氧化层和P型衬底,在P型衬底上沿第一方向依次设置有预设P+掺杂区、预设N+掺杂区和多个N阱区,多个N阱区在第一方向上依次连接,预设N+掺杂区在第一方向的部分区域构成预设N阱区,预设N阱区在第二方向上相对预设N+掺杂区部分设置,预设N阱区的总体积与N阱区的数量相关联,其中,预设P+掺杂区和预设N+掺杂区均为源区。本申请通过在本征SCR的N+掺杂区引入N阱区,实现本征SCR的预设P+掺杂区的电阻的增加,进而降低本征SC
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114361156 A
(43)申请公布日 2022.04.15
(21)申请号 202111402639.9 (51)Int.Cl.
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